삼성전자, 17년 연구개발 끝에 차세대 메모리 M램 양산

삼성전자가 속도가 빠른 D램과 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 낸드플래시의 장점을 딴 차세대 메모리 ‘M램’의 양산을 시작했다. 2002년 차세대 메모리 연구를 시작한 지 17년만에 나온 성과다. 최근 수요가 폭증하는 사물인터넷(IoT) 기반의 각종 정보통신기술(ICT) 제품에 주로 탑재될 것으로 예상된다. 삼성의 차세대 먹거리 사업이 될 전망이다.

1000배 빨라진 쓰기 속도

삼성전자는 6일 내장형 메모리 반도체 제품인 ‘eM램’을 양산한다고 발표했다. 메모리 반도체, 컨트롤러, 통신용 반도체 등 여러 기능을 수행하는 반도체들을 모듈처럼 한 곳에 모은 시스템온칩(SoC)에 장착되는 메모리 반도체다. 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 낸드플래시 특성을 가지면서 쓰기 속도는 기존 내장형 낸드제품(e플래시)보다 1000배 빠르다. 삼성전자 관계자는 “기존 메모리 제품과 달리 소프트웨어 등을 업그레이드 할 때 기존 데이터를 삭제할 필요가 없어 쓰기 속도가 획기적으로 개선됐다”고 말했다. 이어 “전원이 꺼진 상태에서도 데이터를 계속 유지할 수 있어 별도의 대기 전력도 소모되지 않는다”고 덧붙였다. 읽기 속도는 기존 낸드 제품과 비슷한 수준인 것으로 알려졌다.

 

삼성전자가 M램을 양산한 것은 2002년 삼성전자 반도체연구소가 차세대 반도체 연구를 시작한 지 17년만이다. D램과 낸드플래시를 대체할 메모리 반도체를 개발하겠다는 계획으로 시작했다. 메모리 용량을 키우면서 동시에 생산단가를 낮출 수 있는 미세 공정 기술을 확보하는 데 적지 않은 어려움을 겪은 것으로 알려졌다.

첫 양산 제품은 기업 고객들의 주문과 설계에 따라 위탁 생산하는 파운드리용으로 나왔다. 삼성전자는 M램을 D램과 낸드플래시처럼 표준화된 제품으로 대량 생산하는 것보다는 IoT 기능이 필요한 스마트 시계, 전기 밥솥 등 소형 전자기기 및 제품 등에 적합하다는 판단을 한 것으로 알려졌다.